内容摘要：美光宣布已向合作伙伴提供256GB DDR5 RDIMM样品，传输速率最高9200 MT/s，比量产DDR5快40%以上。该模块基于美光首次采用EUV光刻的1-gamma工艺第六代10nm级节点），晶

　　美光宣布已向合作伙伴提供256GB DDR5 RDIMM样品，美光目前传输速率最高9200 MT/s，速上比量产DDR5快40%以上。度破

　　该模块基于美光首次采用EUV光刻的1-gamma工艺（第六代10nm级节点），晶圆密度提升超30%，美光目前芯片速度快15%、速上功耗降超20%。度破采用3D堆叠与硅通孔封装，量产单条功耗仅11.1瓦，美光目前比双128GB方案降低40%以上。速上

　　该内存面向LLM、代理式AI等数据中心负载，量产可在功耗限制内最大化单插槽内存容量。美光目前美光正与合作伙伴验证兼容性，速上尚未公布量产时间表。度破同期JEDEC正推动DDR5 MRDIMM标准，目标速度12800 MT/s。现有256GB DDR5服务器内存市场价约5-6万元，美光尚未披露新品定价。